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시료 1g을 부피 20~25ml의 백금 도가니에 넣어 뚜껑을 덮고 900~1,000 ℃로 항량(恒量)이 될 때까지 가열하였을 때의 감량을 시료에 대한 백분율로 나타낸 양이며, 시멘트가 공기중의 수분과 이산화탄소와 결합된 양을 표시하는 것으로 장기 보존된 것일수록 강열감량은 커지게 된다.

시료 1g을 부피 20~25ml의 백금 도가니에 넣어 뚜껑을 덮고 900~1,000 ℃로 항량(恒量)이 될 때까지 가열하였을 때의 감량을 시료에 대한 백분율로 나타낸 양이며, 시멘트가 공기중의 수분과 이산화탄소와 결합된 양을 표시하는 것으로 장기 보존된 것일수록 강열감량은 커지게 된다.

동절기 공사시의 양생방법이며, 단열성이 높은 재료 등으로 콘크리트 표면을 덮어 열의 방출을 적극 억제하여, 시멘트의 수화열을 이용해서 필요한 온도를 유지시키는 양생

동절기 공사시의 양생방법이며, 단열성이 높은 재료 등으로 콘크리트 표면을 덮어 열의 방출을 적극 억제하여, 시멘트의 수화열을 이용해서 필요한 온도를 유지시키는 양생

성서나 사전 등의 인쇄용 박엽지(얇은 종이). 마섬유, 목면섬유, 목재화학 펄프 등에 다량의 충전제를 넣어 만든다. 특성 : 불투명도가 높으며 인쇄적성이 좋고 지합이 뛰어 나며, 20~30g / m3의 표준 평량을 갖는다.

나리(NARI) 규격을 기본으로 이스리(ISRI)에만 만든 각종 스크랩분류 기준으로 이전의 나라규격에서와는 잘리 비철금속스크랩 뿐만 아니라 고철이나 고지까지 포함된 규격이다. 현재 미국의 스크랩공급이 막대한 영향을 미치고 있기 때문에 세계적으로 통용되는 스크랩규격으로 자리잡고 있다.

이온 주입기. 불순물을 강제로 Wafer에 주입시키는 장치로써 고전류, 중전류, 저전류 이온 주입기등 3 종류가 있다.

이온주입. Wafer 내부로 B(붕소)나 P(인)등을 Implanter를 이용해 주입시키는 것을 말함.

일반적으로 용융된 상태에서 응고된 고체덩어리. 실리콘(Silicon)의 경우, 실리콘 용융액으로부터 성장시킨 단결정을 실리콘 잉고트라고 부름.

주입. PN 접합면에 있어서 각 영역의 다수 캐리어가 반대쪽 영역으로 소수 캐리어로 되어 흘러 들어가는 현상.

전수검사. Lot 혹은 Batch내의 모든 단위체를 검사함.

선별형 검사. 불합격 판정된 Lot이나 Batch에서 특정수 또는 모든 단위체에 대한 검사를 실시하는 동안 불량품의 교체 및 제거하는 검사를 말함.

까다로운 검사. 정규(보통)검사에서 적용했던 기준보다 더 엄격한 합격판정 기준을 사용하는 sampling 검사방법을 말함. 까다로운 검사 (Tightened Inspection)는 제시된 품질수준이 상당히 나쁠 때, 불합격 Lot의 확률을 증가시키기 위한 보호수단으로 사용됨.

정보를 전달하거나 수신하는 곳 또는 입출력 장치를 말함.

반도체 소자가 원하는 전기적 특성을 가지도록 반도체 기판 위에 필요한 부분에만 고전압으로 가속된 이온을 물리적으로 주입하는 것.

Silicon 등에 확산법에 의해 불순물을 넣어 주는 것이 아니라 Ion을 쏘아서 원하는 깊이, 원하는 개수 만큼의 불순물을 주입하는 것.

전기통신망의 장래 형태로서 전기, Facsimile, 화상, Data, 전보, Telex 등 복수 서비스를 제공할 수 있는 종합적인 Digital 교통망을 ISDN(=Digital 종합 통신망)이라고 부름.

반도체 집적회로는 한 Chip속에 TR, Diode, 저항 등의 회로소자를 조립해 넣으므로 이들 소자를 먼저 각각 분리하여 고립된 상태를 만들어 놓는데 이를 Isolation이라 함.

반도체 집적회로에서 소자끼리 전기적으로 영향을 받지 않도록 하는 것.

집적회로 검사장치. 출하직전 IC 의 전압이나 저항 등의 전기적 특성을 검사하고 불량품을 제거하는 장치. 불량품과 양품(良品)을 자동적으로 구별하는 ATE(Automatic Test Equipment=전자동검사장치)가 주류를 이루고 있음.

기존의 Optic, X-ray, electron beam을 이용하는 방법보다 더 발전된 형태의 Lithography 방식으로서 보다 정밀한 해상도를 얻을 수 있음.

회로패턴과 연결된 부분에 불순물 원자 Ion을 미세한 gas입자 형태로 가속해 wafer의 내부에 침투시켜 전자소자의 특성을 만들어주는 장비로 beam 전류의 강도에 따라 여러 종류로 나뉨.

이온, 이온을 순차적으로 발생시켜 대기중에 발생된 정전기를 제거하는 장치(대전물에 존재하는 극의 이온을 중화시킴).

일반적으로 자사 Brand로 제품을 판매하는 종합 반도체 업체

MOSFET의 다른 명칭.

MOSFET 나 Power Tr를 복합화한 스위칭 Device : 고주파화, 저경음화.

종래의 자성체 대신에 바이폴라 TR이나 MOS TR로 F-F를 구성하여 기본 Memory(Cell)를 만든 IC 회로.

집적회로라 부르며, 2가지 이상의 회로소자를 기판 내에 집적하여 상호 배선을 연결시킨 회로로써 설계부터 제조, 시험, 운용에 이르기까지 하나의 단위로써 취급되는 것으로 정의함.

미국의 비철금속 스크랩업자들이 자신들의 권익보호와 환경문제에 대해 원만한 대정부관계를 유지하기 위해 만들어 놓은 회사형태의 조직이다.

화소 전극과 공통전극을 모두 하판에 형성함으로서,액정 director 의 방향이 면내에서만 움직이게 하는 액정모드

보통검사. 공정이 합격품질 수준 또는 그보다 다소 나은 상태에서 진행되었을 때, sampling법에 의해 적용되는 검사를 말함.