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한 화소내에서 데이터 전압의 간섭을 없애기 위해, 데이터 배선 주위에 형성되는 선 형태의 공통전극. 측면 색재현성 측면, 즉 상하좌우 또는 임의의 대각방향에서 액정 Panel을 볼때 인지되는 색재현성.

Pixel 전극과 대향전극의 ITO 투명전극을 일정간격으로 절개하여 형성된 Fringe Field 를 이용하여 액정분자의 Tilt 방향을 조절하므로써 광시야각을 달성할 수 있는 액정 표시모드

킬른에서 소성되어 냉각시킨 클링커(주성분은 3CaO·SiO2, 3CaO·Al2O3, 2CaO·SiO2, 4CaO·Al2O3·Fe2O3의 4종)를 석고 3~5%와 함께 시멘트 분쇄기에서 미분쇄한 수경성 분말로 1~5종이 있다.(1종 : 보통 포틀랜드 시멘트, 2종 : 중용열 포틀랜드 시멘트, 3종 : 조강 포틀랜드 시멘트, 4종 : 저열 포틀랜드 시멘트, 5종 : 내황산염 포틀랜드 시멘트 )

킬른에서 소성되어 냉각시킨 클링커(주성분은 3CaO·SiO2, 3CaO·Al2O3, 2CaO·SiO2, 4CaO·Al2O3·Fe2O3의 4종)를 석고 3~5%와 함께 시멘트 분쇄기에서 미분쇄한 수경성 분말로 1~5종이 있다.(1종 : 보통 포틀랜드 시멘트, 2종 : 중용열 포틀랜드 시멘트, 3종 : 조강 포틀랜드 시멘트, 4종 : 저열 포틀랜드 시멘트, 5종 : 내황산염 포틀랜드 시멘트 )

소요의 품질을 가지는 콘크리트를 얻을 수 있도록 특정 입도의 굵은골재를 거푸집에 먼저 채워 넣은 후 특정한 모르터를 주입하여 만든 콘크리트

절연물인 판에 얇은 구리박을 씌운 기판을 회로도에 따라 불필요한 구리박을 떼어내고 전자 회로를 구성한 것을 말한다. 절연물로는 베이클라이트 종이에 에폭시를 스며들게 한 것, 유리 섬유 등이 쓰인다. 최근에는 좀더 소형화하기 위해 얇은 기판을 여러 장 맞붙여서 일체화한 적층 기판이 쓰이고 또 플라스틱 필름에 구리박의 패턴을 씌운 플렉시블 기판도 쓰이고 있다.

강한 전압으로 야기된 plasma를 이용하여 반응물질을 활성화시켜서 기상으로 증착시키는 방법 또는 장치. TFT -LCD에서는 insulator층과 a-Si 증착에 사용함. 반응 Chamber가 Plasma 상태 하에서 GAS들의 화학적 반응에 의해 film을 증착하는 방법으로 Plasma에 의해 reactant들이 energy 를 얻음으로 낮은 온도에서 증착이 가능함.

Particle 또는 외부적인 defect로부터 감광원판 (MASK)을 보호할 목적으로 감광원판의 가장자리 부분의 형상이 없는 곳에 부착하는 물질.

Test System에 CPU를 지원하는 LSI군. microcomputer system을 설계하는 경우 필요로 하는 기능을 CPU 한 개에 집적시키면 처리속도가 저하되고 software 설계량이 증대되는 문제점이 발생하게 됨으로 각 CPU에 주변 LSI를 사용하여 시스템을 설계하는 것.

Lead가 Package의 아래쪽에 길게 나와 있는 정사각형의 반도체 제품.

Wafer에 Pattern을 형성하는 공정.

광전효과. 반도체에 빛을 조사함으로서 일어나는 전기 전도도의 변화나 기전력의 발생현상을 총칭하여 광전효과라고 함.

전기/빛 변환소자(발광소자)와 빛/전기 변환소자(수광소자)를 하나로 조합한 것임.

반도체 제조 공정 중 Photo 공정에서 사용되는 Chemical류로서 Photo Resist, Developer, Stripper, Thinner, HMDS 등의 Organic Chemical임.

반도체의 PN 접합에 역 바이어스를 가하고 접합면에 빛을 조사하면 PN 접합에 흐르고 있는 역방향 전류가 증가하는 현상을 이용한 것.

사진 식각법. 에칭재료에 대해서 내성이 있는 재료, 즉 Photo Resist를 마스크로 사용하여 반도체의 산화피막, 금속 등을 부분적으로 Etching 하는 방법.

거의 같은 수의 양이온과 전자를 띤 가스.

인쇄회로기판, 인쇄배선판 위에 저항, 콘덴서, 코일, TR, IC, LSI, 스위치 등의 부품을 장치하고 납땜하여 회로기능을 완성시킨 것.

제품수명주기. 신제품이나 개량제품이 시장에 소개된 이후 시간의 경과에 따른 판매액이나 이익의 변화 추이를 나타낸 개념. 도입기, 성장기, 성숙기, 쇠퇴기로 구분하여 각 시기마다 적합한 마케트 믹스를 필요로 함.

Package의 일종으로 lead가 4방향으로 난 표면실장형 반도체 제품(Package의 한 형태)

프로그램이 가능한 어드레스를 가진 ROM으로 시스템 설계 수단으로서 개발된 것. PLD와 ROM과의 차이는 ROM은 입력의 모든 조합에 대해서 출력이 나오지만, PLD는 입력의 몇 개 조합은 무효이고, 또 조합의 몇 개 그룹은 구별할 수 없다는 점임.

양전하 즉, 정공에 의해 Channel 전류가 형성되는 MOS Transistor. 기판은 N형으로 구성되고, Source와 Drain부가 P형으로 작동되는 MOS device. Source와 Drain간의 Channel전류가 정공에 의해 흐르므로 NMOS 에 비해 느리지만, 고출력전압이 필요한 경우 등의 특수한 용도에 사용됨.

장 범위에서는 결정성이 없지만, 단 범위에서는 결정성을 가지고 있는 실리콘 물질. 결정 r경계로 구분되어 있고 결정 경계 내부는 단결정이며 이러한 결정이 다수 존재함. 다결정 실리콘 트랜지스터는 좋은 신뢰성과 안정성으로 인해 프로젝션용 혹은 소형 Viewfinder에 이용됨.

전원전력시스템에 적용되는 스위치용 소자 및 Control 핵심부품으로 Power Tr, Power MOSFET, PWM IC 등을 총칭함. 응용분야로는 SMPS, Ballast, UPS, Inverter, AC-DC Converter 등 모든 전원분야에 사용됨.

Wafer내의 Chip의 전기적 동작상태를 검사하기 위해 Probe Tip을 일정한 규격의 회로 기판에 부착한 카드.

Test 장비와 전기적 신호를 주고받을 수 있도록 연결되어 있으며 Wafer를 X, Y, Z축으로 움직여 각 칩을 ROOM/HOT Temperature 상태에서 Wafer내의 지정된 Point(pad)에 탐침을 접촉시켜 Test하는데 사용되는 장비임.

측정을 위하여 만들어 놓은 PAD에 Probe Tip을 정확하게 Contact시키는 것.

반도체 제조기술에 있어서 재료에서 제품까지의 중단단계의 기술을 총칭하여 Process라고 함.

ROM 의 일종으로 제조된 후 사용자가 임의로 Program을 하여 원하는 정보를 넣을 수 있는 기억장치.

DRAM 의 장점인 동일면적에 있어서 기억용량의 극대화와 SRAM 의 장점인 Refresh 불필요성을 결합시킨 것으로 DRAM의 장점과 SRAM의 장점을 결합시킨 기억소자.

P형 반도체에서 전기 전도에 기여하는 캐리어가 정공이 주체가 되는 반도체를 P형 반도체라고 함.

Wafer의 Passivation, BPSG Layer, SiO2, AL, TI/TIN, TEOS 등을 Plasma 상태의 CF4, O2, Cl2, 등의 gas를 이용하여 Etch하는 장비.

일괄공정 중 wafer 위에 이미지를 전가시키는데 이용되는 매개체(Medium)로서 유리와 크롬으로 만들어짐.

사진 식각 공정을 위하여 사용되는 점액성 액체를 말하며, 빛이 닿는 유무에 따라 상태가 변하는 감광물로서 Positive와 Negative 2종류가 있음.

Major Carrier가 Hole인 Si를 말함. 3가 원소들이 Si에 주입되면 여분의 Hole이 존재하게 됨.

Package를 Test하는데 사용되는 Board로서 Test 장비의 Test Head에 장착됨.

TR, Diode, IC 등의 반도체 소자의 용기로서 Package는 재료면에서 mold(수지) type, ceramic type, cam(금속) type 등이 있음. 또한 형상면에서 면실장 type과 pin삽입 type이 있음.

Line 내의 Wafer나 공기 중에 발생하는 먼지. 크기가 작은(100∼0.01㎛) 미세한 먼지나 이물질을 말함.

수입검사 대상 자재들에 대한 Particle 오염 정도를 검사함.

Silicon기판 위에 튀어나오는 것이 없어 평평한 형태로 만든 Transistor.

일반적인 논리회로의 조합으로 기능별로 연결하거나 Program에 의하여 조작할 수 있는 논리조작 회로.

Input 또는 Output로서 전기적 특성 대신해 빛을 사용하는 반도체 디바이스

감광물질로 Positive와 Negative의 두 종류가 있음.

Poly Condensation의 약자로서 중축합 반응공정

고주파가 허용된 반응실 내부로 Gas를 주입하면 높은 Energy 상태로 활성화되어 이온, 전자, 원자, 래디칼(Radical)등이 생성되는데, 이것을 사용하여 식각을 하는 일반적인 건식 식각(Dry Etch). 좁은 의미로는 화학적인 반응에 의한 건식 식각 방법.