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필름의 두께방향으로의 위상지연값과 관련된 파라메터. 두께방향 굴절율값(nz)과 평면 굴절율값의 평균값((nx-ny)/2)의 차에 두께를 곱하여 얻은 값

2개의 회전자가 맞물려 회전하여 압축공기를 이용하여 chip을 풍송하는 설비

원하는 정보를 꺼내어 쓸 수 있는 반도체 기억장치로 Computer의 기본 기억장치이며 명령에 의해 정보를 꺼내어 쓰거나 넣을 수 있음. 정기적으로 Refresh동작이 필요한 DRAM과 전원을 끊어도 기억정보가 유지되는 SRAM 등이 있음.

Rambus 사에서 제작한 고속 DRAM. Data전송주파수를 500㎒정도의 초고속으로 실현시켜 Data bus폭의 증대를 억제시켰음. 연속된 Data를 일괄처리 할 수 있으며, 통상의 CPU에서는 관련 ASIC을 매개로 하여 동작됨.

주로 Diode와 같은 반도체 소자를 이용하여 교류를 직류로 바꾸는 전기적 장치.

DRAM에서 MOS FET 의 게이트 용량에 축적된 전하에 의해서 WRITE-IN된 기억을 유지하는데 이 전하는 수밀리 초 내에 방전하여 없어지므로 항상 기억을 재생하여야 하며 이 재생하는 것을 Refresh라 함.

반도체 제조를 위한 어떤 장치가 얼마만큼 고장 없이 주어진 기능을 수행할 수 있는가를 또는 제품이 나타내는 것.

수지. Weak cation tower, mixed bed polisher 장치 안에 수지가 들어 있어 물 속의 ion을 제거해 주는 역할을 함. 물 속에 녹아 있는 ion들의 극성을 이용하여 제거하는 수지로서 양이온, 음이온, 수지가 있으며 일정시간 경과 후 ion 교환이 이루어지면 Chemical로 재생하여 사용.

Laser repair program을 이용하여 Repair data에 따라 Redundancy circuit의 fuse를 절단하는 장비임.

가장 기본이 되는 모판 Mask로서, 보통 실제 반도체 Chip의 10배 크기인 기본 Mask로 Master Mask를 제작하는데 사용.

Mask와 동일한 의미로 쓰임. (Stepper에 사용되는 mask) wafer에 반도체 회로설계 pattern을 정착(가공)시키기 위해 사용되는 노광용 원판(유리판)으로 한장의 wafer에 여러 번 나누어 노광함.

고주파를 말하며, 건식 식각 공정에서 반응 Gas를 활성화시키는데 이 고주파 전압을 사용하며, 고주파를 발생하는 장치를 RF Generator라고 함.

반도체 기억장치의 일종으로, 정보를 한 번 저장하면 바꿀 수 없고 항상 꺼내어 쓸 수만 있는 기억장치. 읽기 전용 非휘발성 메모리로써 전원을 끊어도 기억된 정보가 소멸되지 않음. microprogram, 문자 pattern, 정수 등의 내용이 변화하지 않는 정보를 기억하는데 사용되며, user가 정보를 자유로이 기재할 수 있는 Programmable ROM(PROM)과 제조공정에서 기재내용이 고정되는 Mask ROM 으로 대별됨.

Wafer를 Process하기 위하여 일련의 묶음(보통 25장)을 1 Lot로 구성하여 제조공정에 투입되어 마칠 때 까지 여러 공정을 차례로 마치, 물이 흘러가듯이 흐른다는 의미에서 쓰여지는 말.

반응 중 발생한 EG를 재사용하는 것으로서 NEW-EG에 비하여 수분율 및 탁도가 높다.