EG-TIPS 에너지온실가스 종합정보 플랫폼

하판 공통전극에 공통전압을 인가하기 위해 형성되는 배선

동(Cu)과 니켈(Ni)의 이원합금으로 전율고용체를 만든 합금으로 큐프로니켈 이라고 한다.

전계 인가시 액정분자가 편광자에 대해 45도로 Tilt 할 수 있도록 ITO 투명전극을 Chevron 형태로 형성한 전극.

시멘트 650g을 W/C비 24~27% 비율로 혼합한 페이스트를 비커 장치에서 로드를 풀고 30초 뒤에 10±1mm의 점까지 내려 갔을 때의 W/C비를 표준주도라 한다. 주도가 낮을수록 콘크리트화 되었을 경우 유리한 점이 많다.

시멘트 650g을 W/C비 24~27% 비율로 혼합한 페이스트를 비커 장치에서 로드를 풀고 30초 뒤에 10±1mm의 점까지 내려 갔을 때의 W/C비를 표준주도라 한다. 주도가 낮을수록 콘크리트화 되었을 경우 유리한 점이 많다.

펄프의 여수도를 측정하는 시험기의 일종. 농도 0.3퍼센트(%)의 펄프액 100ml를 사용하며, 여수도는 CSFml로 나타낸다.

공중의 미립자, 공기의 온ㆍ습도, 실내 압력 등이 일정하게 유지되도록 제어된 방을 말하며 공업용은 주로 전자ㆍ정밀 기기의 제조에 이용된다.

석회석, 점토, 규석, 산화철의 원료들을 적당한 비율로 배합, 미분쇄하여 예열기를 거쳐 킬른으로 보내 약 1450℃의 고온에서 소성한 후, 냉각기로 급냉을 하여 제조된

석회석, 점토, 규석, 산화철의 원료들을 적당한 비율로 배합, 미분쇄하여 예열기를 거쳐 킬른으로 보내 약 1450℃의 고온에서 소성한 후, 냉각기로 급냉을 하여 제조된

화합물 반도체. 주기율 표 상의 Ⅲ-Ⅴ족 원소들의 화합물을 이용한 반도체제품. 대표적으로 갈륨비소(GaAs)반도체가 있음. 실리콘반도체와는 달리 빛을 내고 동작속도가 매우 빠르기 때문에 전광판이나 전자제품의 전원램프에 사용되는 발광소자와 정보전달속도가 매우 빠른 고속소자로 사용되고 있음.

개개의 부품을 뜻함. 혹은 함께 결합되어지면 일정한 기능을 수행할 수 있는 부품들의 조화된 상태를 말함. (예, TR, diode, capacitor)

하나의 케이스 속에 2개 이상의 회로소자를 포함하는 것을 복합 부품이라고 함.

Wafer 표면에 육안으로 보이는 광범위한 이물질의 종류이며, 대부분의 경우 무수질소 gas의 분사나 세제에 의한 세척 또는 화학작용으로 제거가 가능함. Mark, dirt, particulate, solvent residue, wax residue, smudge, spot, stain 등이 있음.

1) Air Born Particle 및 이물질(MCOIL, Chemical류)에 의해 Wafer가 오염된 상태. 반도체공정중 원하지 않는 물질로 오염된 것. 2) Reticle Defect의 한 형태로 Chemical Stain, Wafer Spot 등으로 오염된 상태.

DOS에 의해 인식되고 관리될수 있는 Memory 영역을 말하며640KB로 제한되며 Base Memory 라고도 함. 그 이상의 영역은 Expanded Memory 와 Extended Memory를 동시에 사용할 수 있음.

반도체공장에 있어서 단위제조 Cost를 나타내는 지표. (COO=CEO+CYL)

Embedded IC에서 Micro-operation과 ALU 등의 CPU기능을 하는 핵심 Block을 주변회로 (Peripherals)에 대응하여 Core라 함.

전하결합소자(電荷結合素子). 미국 벨연구소가 개발한 새로운 반도체 소자임. 종래의 트랜지스터 소자와 달리 신호를 축적(기억)하고 전송하는 2가지 기능을 동시에 갖추고 있음. 사람의 눈(目) 역할을 하는 전자 눈으로도 각광을 받고 있음. (에너지를 전환하여 저장하는 반도체소자)

RAM이나 ROM 등 IC의 가장 작은 기억소자를 말하며 보통 Transistor, Capacitor, Resistor 등으로 구성되어 있고 1Bit의 정보를 저장할 수 있음.

고유의 function을 갖는 primitive cell인 NAND, NOR, XOR 등을 지칭하는 것으로서 각각의 Cell에는 Logic Symbol, Electrical data와 Layout이 한 조로 구성되어 있음.

전하

Filter의 공기 청정기 원리는 chemical filter 내부에 존재하는 KMnO4, H3PO4 등의 화학 물질에 의해 흡착된 기체 분자를 산화, 중화반응 시켜 NOX, SOX, NH4, H2, S, 아세트알데히드 등의 악취 및 유해물질을 제거하는 filter, chemical 원액에 포함된 particle 및 불순물을 걸러주는 장치로 filter membrane의 pore size는 0.1㎛을 많이 사용함.

냉동기. 반응실의 온도를 일정하게 유지, 제어 시키는 장치

전기로 속에서 가공된 전자회로가 들어있는 작은 (한변 길이 0.5∼10mm정도) 포장되기 직전의 얇고 네모난 반도체 조각(Die와 같다). 수동소자, 능동소자, 또는 집적회로가 만들어진 반도체.

제조업체 있어서 기술, 생산, 판매의 제기능을 경영 전략 하에서 통합하는 정보 시스템임. 다품종 소량생산에도 대응할수 있는 전자동 기술. 정보처리계, 제어계, 반송계 등을 포함한 Computer지원에 의한 종합적 자동화 기술

1Ft3에 존재하는 Particle의 수.

1 입방피트(ft3) 당 그 size가 0.5㎛2 이상인 particle 개수.

1 입방피트(Ft3) 당 size가 0.5㎛2 이상인 particle의 개수가 10개 이하인 청정도 level.

많은 LSI 칩중에서 특정의 칩하나를 선택하는데 사용되는 LSI의 입력단자나 신호.

System을 구성하는 다수의 component(TTL, Controller, PLL 등)를 여러 개 혹은 하나의 chip으로 구현한 것. 따라서 chipset은 그에 맞는 다수의 system solution 및 software와 함께 제공되어짐.

Mask의 한 종류로 유리 원판 위에 chrome(금속) 박막으로 회로가 인쇄된 Mask.

Cache(은밀한 장소의 의미로써 긴밀하게 이용하는 data를 일시적으로 대피시키는 buffer의 역할)로 사용되는 SRAM 과 Register를 내장한 DRAM을 말하며, DRAM의 대용량과 SRAM의 고속성을 겸비하고 있음. Main Memory 와 CPU 사이에 마련된 고속의 기억 장치

중앙처리장치의 빠른 처리속도와 주기억장치의 느린 응답속도 사이의 효율적인 동작을 위해서 두 장치 사이에 설치되는 처리속도가 빠른 메모리 반도체

컴퓨터에 기억되어 있는 설계 정보를 그래픽 디스플레이 장치로 출력하여 화면을 보면서 설계하는 것(컴퓨터를 이용하여 설계를 하고 도면을 그려내는 것). IC, 특히 LSI나 초 LSI의 최적설비를 Computer지원에 의해 효율을 보다 향상시킨 기술을 말하며, 논리 Simulation, 회로해석, Device 해석, 배치·배선설계, Mask pattern 작성, Test pattern 작성 등의 각 Step에서 CAD를 사용함. 설계전자동화의 방향으로 기

연평균성장률

전하를 축적할 수 있는 용량.

전하를 저장할 수 있는 제품(콘덴서).

전적으로 자사의 소비용도로 생산하는 반도체 생산업체. Merchant Producer와 반대되는 말

전류를 구성하는 기본적인 주체(전자, 전공).

Wafer를 담는 용기로 1, 5, 20∼25장 등을 담을 수 있는 홈이 있음. 종류로는 청색 캐리어(Blue Carrier), 흑색 캐리어(Black Carrier), 백색 캐리어(White Carrier), 금속 캐리어(Metal Carrier)가 있음. 1) Blue Carrier : Poly Propylene 재질로 되어 있으며, 색은 청색임. 화공약품에는 강하나 열에 약함. 2) White Carrier : Teflon 재질로 되어 있으며, 색

Carrier를 취급하는 도구.

Capacity 의 약자로 한 장비 또는 설비가 일정 기간 동안 생산해 낼 수 있는 능력

공정이 충분히 표준화되고 이상원인이 제거되어 공정이 안정 상태로 유지되었을 때에 어느 정도의 품질이 실현되는가를 표시하는 것.

1) Wafer 표면에 부착된 유기물이나 무기물 등의 particle을 제거하거나 ETCH시 사용되는 H2SO4(황산), HF(불산), NH4OH(암모니아) 등의 부식성이 강한 화공 약품들을 통틀어 Chemical이라고 함. 2) Line에서 사용되는 화공약품의 총칭.

Chemical 농도를 monitoring 하는 장치로 wet sink에 장착되어 있음.

Computer의 일부분으로서 명령을 수행하기 위한 지시나 제어, 연산기능을 갖고 있는 부분으로 인간의 두뇌에 해당하는 부분.

LSI설계에 사용되는 Microprocessor나 microcontroller 회로. Standard cell과 SOG형 Gate Array library 로써 등록시키고, User는 필요로 하는 System을 용이하게 ASIC Micon으로 1 chip화시키는 것이 가능함.

고객(Custom IC)의 주문에 의한 사양으로 작성되는 IC.

청소용 진공으로서 라인 내 청소시 사용됨.

APCVD 상압증착, LPCVD 저압증착방식 등으로 분자 기체를 반응시켜 Wafer 표면 위에 Poly나 Nitride, PSG, BPSG, LTO 등의 막질을 형성시키는 공정. Silicon wafer 등의 반도체 기판 상에 박막형성 공정으로 기체를 열분해하여 화학반응을 일으키게 하여 depositing하는 방법.

주기적으로 일어나는 연속동작의 최소시간 간격을 말한다.

차세대 고속 DRAM 규격으로 기존 싱크로너스 생산설비를 그대로 활용하는 싱크로너스형의 연장선상에 있으며 데이터 전송량을 2배로 늘려 고속화할 수 있는 기술 규격을 말함.

Continuous Polymerization Process(연속중합공정)의 약자로서 원료투입에서 제품생산까지 섹션별 온도, 압력조건을 일정하게 한 뒤 연속적으로 생산하는 공정

상보형 회로. 바이폴라 또는 유니폴라로서 극성이 반대인 TR을 접속하여 하나의 기능을 갖게 하는 회로를 말함.

감광막, 절연막 또는 금속막을 Wafer 표면에 균일하게 증착하는(바르는) 과정.

1) Slurry 화합물을 사용하여 wafer를 기판으로 사용하기 전에 그 표면을 미세하게 polish(연마) 하는 것. 2) slurry 화합물을 사용하여 device layer를 평탄화하거나 단차를 줄이는 것.

TTL과 동일하게 품종이 풍부하여 넓게 사용되고 있는 CMOS Logic IC의 Family 범용 Family 에는 NAND나 NOR의 Gate, Flip-Flop 등의 품종이 있으며, 최근에는 Bipolar고속 Logic IC 에 필적하는 고속 CMOS 표준 Logic이 상품화 되고 있음.

N Channel, P Channel의 두 MOS Transistor가 합해서 기능을 발하는 복합체로서 낮은 전력소모와 높은 Noise Margin 기타 신뢰성에 잇점이 있음.

청정실. 공기의 온도, 습도 및 Particle이 작업공정에 적합하게 인위적으로 조절 관리되는 실내 공간.

Wafer나 Carrier 등을 화공약품 및 순수한 물(D.I Water)을 이용하여 깨끗하게 하는 것을 말함.

청정도. 먼지나 오염물질의 오염정도를 표시하는 기준.

1 입방피트(Ft3) 당 size가 0.5㎛2 이상인 particle의 개수가 100개 이하인 청정도 level.

청정도. 청정실내에 공급되는 공기중의 Particle 관리정도에 따라 등급을 정한 것. 1M DRAM 의 청정실은 0.1㎛의 Particle을 기준으로 결정. 통상 0.5㎛ 이상의 공중입자가 1Ft3 체적 내에 있는 Particle의 수를 말함.