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부어넣은 콘크리트가 소정의 형상, 치수를 유지하며 콘크리트가 적당한 강도에 도달하기까지 지지하는 가설구조물의 총칭

부어넣은 콘크리트가 소정의 형상, 치수를 유지하며 콘크리트가 적당한 강도에 도달하기까지 지지하는 가설구조물의 총칭

화소내에 빗살모양으로 형성된 화소/공통전극

지필 형성부가 무단의 긴 금망부로 된 초지기. 금망부의 망은 플라스틱 제품도 있다.

Pixel 전극 또는 대향전극의 투명막인 ITO가 절개된 부분에서 형성되는 전계로 PVA Mode에서 액정분자의 Tilt 방향을 결정해 주는 전기장 .VA mode에서 글라스에 수직한 방향을 z 축으로 잡았을 때, 전기장의 x-y평면 성분을 말함.

플라이애시는 미분탄 연소의 화력 발전소에서 보일러의 연소 가스 중의 미분탄 회분을 집진기에서 포집한 것으로, 성질은 사용되는 탄의 종류와 연소로의 구조 등에 따라 다르지만 SiO2 45% 이상, 분말도 2400㎠/g 이상의 것이 콘크리트 혼합재 용으로 사용되고 있다. 플라이애시를 사용한 콘크리트는 단기강도는 낮지만 6개월 이상의 장기 강도는 보통시멘트 보다 높고, 수화물의 조직이 치밀하게 형성되므로 방수성, 화학적 저항성도 높으며, 수화열도 낮기 때문에

플라이애시는 미분탄 연소의 화력 발전소에서 보일러의 연소 가스 중의 미분탄 회분을 집진기에서 포집한 것으로, 성질은 사용되는 탄의 종류와 연소로의 구조 등에 따라 다르지만 SiO2 45% 이상, 분말도 2400㎠/g 이상의 것이 콘크리트 혼합재 용으로 사용되고 있다. 플라이애시를 사용한 콘크리트는 단기강도는 낮지만 6개월 이상의 장기 강도는 보통시멘트 보다 높고, 수화물의 조직이 치밀하게 형성되므로 방수성, 화학적 저항성도 높으며, 수화열도 낮기 때문에

굵은 골재의 최대치수, 잔골재율, 잔골재의 입도, 반죽질기 등에 따른 마무리하기 쉬운 정도를 나타내는 굳지 않은 콘크리트의 성질

하부 기판에 투명금속을 이용하여 사각 플레이트 모양의 상대전극과 꺽쇠모양의 화소전극을 절연층을 사이에 두고 형성하여, 전기장 인가 시 두 전극간에 프린지 필드가 형성되어, 수평배향된 액정을 회전시킨다. 이 때 상대전극과 화소전극의 전극 위나 전극모서리등을 포함한 전영역의 액정분자들을 회전시켜 고휘도, 광시야각 특성을 갖는 액정표시소자 혹은 하부기판에 전극과전극사이의 전계뿐만 아니라 전극의 모서리 전계까지 이용하여 수평배향된 액정을 회전시켜 화소의 전영역

페이스다운 본딩(Facedown Bonding)과 같이 반도체 칩상의 표면전극을 절연기판 또는 패키지의 배선용 전극에 직접 접속하는 방법.

전기전도(電氣傳導)에 기여하는 Carrier의 역할을 전자 또는 정공(正孔)의 어느 하나가 담당하는 Transistor. 전자도 정공도 Carrier의 역할을 하는 Bipolar에 대하여 Unipolar(單極) Transistor라고 불리움.

조립(Package)된 제품에 대해 제품 출하 전 마지막으로 전기적 특성을 검사하는 것.

한 개의 트랜지스터로 이루어져 셀 면적이 작은 EPROM 과 전기적 소거가 가능한 EEPROM 의 장점을 조합하여 EPROM 의 프로그램 방법과 EEPROM의 소거방법을 수행토록 만든 소자로서, EPROM, EEPROM과 유사한 설계와 공정을 거쳐 생산됨. 외부에서 고전압을 가해 데이터를 기입하며 전기적인 소거도 Memory Device 전체 또는 Block별로 가능함. 이 Flash Memory 는 NOR형, NAND형으로 大別되며 NOR형 EEPRO

컴퓨터 시스템이 데이터를 Access하는 방법으로 가장 보편적으로 활용되고 있는 /CAS signal의 toggling에 따라 데이터가 Access되는 방식.

칩의 밑면에서 혹 모양의 납(Solder Bump)을 만들어 보드에 직접 붙이는 방법. 플립 칩은 리드프 레임이 없어 칩 사이즈가 곧 패키지 사이즈가 되어 세트의 소형, 경량화에 유리하며 칩 밑면에 입·출력 단자가 있어 전송속도도 기존선이 있는 패키지에 비해 20∼30배정도 빠르게 할 수 있음. 특히 기존 와이어 방식의 패키지 경우 고속으로 동작하는 마이크로프로세서에 적용키 어려웠던데 반해 플립 접촉법은 우수한 전기적 특성을 요구하는 대용량의 D램, 속

一貫공정(wafer fabrication)의 능력이 없는 반도체 업체.

웨이퍼(Wafer)의 가공을 의미함.

확산실에서 Deposition, Drive-In, Oxidation 혹은 Alloy 를 하는데 사용되며 긴원형의 QZ를 이용하여 450℃에서 1250℃까지의 온도공정을 진행할 수 있으며 횡형과 종형이 있음.

자동화된 tool을 사용하지 않고 원하는 chip의 특성에 맞게 설계하는 IC 설계방법. 회로설계시 MOS transistor level부터 시작해서 회로구성, simulation, optimization을 실시한 후 chip 전체의 area를 최적화하기 위해 수작업으로 layout하여 완성된 반도체 제품.

반도체 前공정

강유전체 불휘발성 메모리 로서, 강유전체는 전계를 가하더라도 전하가 남아 있기때문에 이런 원리를 이용하여 memory cell에 강유전체를 사용한 불휘발성 RAM 으로써 SRAM이나 DRAM과의 차이점은 전원을 끊더라도 data내용을 가지고 있음. 또한 EEPROM 과 비교하여 data기재시간은 훨씬 짧고 기재가능 횟수도 많은 점 등의 잇점을 갖고 있음.

미리 program 할 수 있도록 제작된 chip에 사용자가 CAD를 이용하여 로직을 구현할 수 있도록 한 제품.

Forming I.C Lead-frame의 lead를 요구하는 현상 즉, curl, Z form 등이 있으며, Die Punch를 요구형상으로 제작하여 그 사이에 lead frame을 위치시켜 곡선을 따라 꺽는 작업을 말하며 이와 같은 금형을 포옴 다이라고 함.

ASIC설계업체와 고객들이 자신들이 갖고있는 공정에 적합한 Tool을 사용하여 완성된 설계의 레이아웃을 제조하기 위하여 이용할 수 있는 반도체 제조설비.